肖特基二極體是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極體（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸 ...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用矽及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正 ...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低，像使用矽及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V以下，其反向漏電流不但較大，而且會 ...

相應MOSFET中的體二極體有一個主要缺點。由於反向恢復現象，其開關速度非常低。在反向恢復時間內，電感(L1)導致開關節點處的電壓下降 ...

肖特基（Schottky）二極體的最大特點是正向壓降VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐 ...

缺點

但也存在著漏電流(IR)大，一但散熱設計失常，就會引發熱崩潰的缺點。 圖- 蕭特基屏障二極體低VF、大IR. 大多用在電源部輸出端整流上。其特性會 ...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及 反向漏電流偏大，像使用矽及金屬爲材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值爲正 ...